PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-55/55D系列不锈钢单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-55/55D系列OEM单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

型号：PT124G-3500

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PT124G-3500-55/55D系列压力变送器元件单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

型号：PT124G-3500

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PT124G-3500-55/55D系列负压力测量单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

型号：PT124G-3500

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PT124G-3500-55/55D系列高精度单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

型号：PT124G-3500

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PT124G-3500-55/55D系列温度补偿单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

型号：PT124G-3500

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PT124G-3500-55/55D系列高过压性能单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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