PT124G-3500-60/60J 不锈钢单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-60/60J 316L单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-60/60J高稳定单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-60/60J耐高温单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-60/60J高精度单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

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PT124G-3500-60/60JMEMS技术单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

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PT124G-3500-60/60J OEM单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-60/60J单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片，具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块，能实现静压、差压与温度的宽范围补偿，能提供*的稳定性和测量高精度。

型号：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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